营收骤降近三成的华为 新年竟靠投资爆赚20倍！| 檀市场

文/檀所长

辞旧迎新，华为轮值董事长郭平在2022年新年致辞中表示:

2021年，华为预计全年实现销售收入约6340亿元，同比下降了28.9%。

而至于营收下降的原因，或多或少大家都知道一点。

2020年，美国对华为的打压升级，芯片管控令正式生效。

同时，台积电也停止为华为代工生产麒麟芯片。

自己设计的不给造，别人生产的又不给买，一度让华为陷入无芯可用的困境，手机业务也因此遭到了极大的冲击。

没有相关技术，就会被垄断，就会被卡脖子，这一点华为深刻的意识到了。

2022年开年的第一个月，与华为旗下哈勃投资深度绑定的碳化硅第一股——天岳先进正式登陆科创板。

早在2019年8月，也就是美国将华为列入管制“实体名单”的后三个月，哈勃投资就以1.11亿元增资入股天岳先进。

根据天岳先进招股书披露，哈勃投资持有公司2726.25万股股份，持股比例达到7.05%。

目前，天岳先进市值约为350亿元。按照持股比例计算，新年的第一个IPO华为就赚了近22倍。

相信华为对于天岳先进不只是投资这么简单，更像是布局芯片产业的一步棋。

那么，华为究竟看中了天岳先进什么？

半绝缘型衬底 绝对的龙头

很明显，未来芯片行业必然的发展趋势——第三代半导体。

天岳先进的科创板上市，直接填补了我国上市公司缺少以碳化硅（SiC）衬底为主营业务的上市公司的空白。

碳化硅对比前两代半导体而言，其诸多更有优势的物理属性，使得其更适合于耐高温、耐高压、耐大电流的大功率器件。

因此，具备广泛应用于5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车及充电桩、大数据中心等“新基建”领域的潜力。

由于SiC的物理特性，令其成为实现新能源车汽车最佳性能的理想选择。

与传统解决方案相比，基于SiC的解决方案效率更高、重量更轻及结构更加紧凑。

目前，SiC器件在EV（纯电动）/HEV（混动）上的应用是功率控制单元（PCU）、逆变器、DC-DC转换器、车载充电器等方面。

早在2018年的时候，“新能源车一哥”特斯拉在model 3主逆变器上安装了24个意法半导体生产的SiC MOSFET功率模块。

要知道当时，碳化硅芯片比传统芯片贵十倍以上。“成本大师”特斯拉依然愿意选择的主要原因是什么，一时间资本便开始聚焦于这个元器件。

后来经过验证后，碳化硅这东西确实不错。

提升逆变器效率、改善续航、高温表现好，不少场景确实能替换掉传统的硅基器件。

因此，资本纷纷杀入。

在天岳先进的招股书中，上汽、小鹏等均以战略投资者身份认购了4975.12万元。

在双碳中背景下，新能源汽车的景气度也会持续提升，也将成为SiC行业发展的最大驱动力。

而衬底属于SiC行业的上游，也是SiC的核心。

因此，向上游布局是行业的不二选择，目前整个行业玩家除了签订长单以外，都在努力进入上游来保证自己供应链的稳定性。

按照衬底电学性能的不同，碳化硅衬底可分为两类：

一类是具有高电阻率的半绝缘型碳化硅衬底，另一类是低电阻率的导电型碳化硅衬底。

从企业和竞争格局的角度看，SiC衬底制备市场大部分被美国、日本和欧洲的其他SiC企业占据。

导电型衬底方面，2018年美国占有全球碳化硅晶片产量的70%以上，而科锐作为行业先驱，市场占有率达62%，超过一半以上市场份额。

贰陆公司、罗姆市场占有率分别为16%和12%，前三家企业合计占90%的市场份额。

国内企业，天科合达、天岳先进市场占有率分别1.7%和0.5%，份额较小。

半绝缘型衬底方面，2020年科锐、贰陆公司合计占有70%的市场份额。

但天岳先进市占率近年来大幅增长，2020年公司市场占有率较上年增长12个百分点，市场占有率达30%，位列全球第三名。

在半绝缘型衬底方面，天岳先进可以说是绝对的龙头。

在加上第三代半导体对前两代半导体技术替代的必然性，这可能也是其被华为等一众投资者看好的主要原因。

危中生机 国内终端厂商的救赎

既然SiC这个东西这么好，为什么还没有全面铺开呢？

摆在面前的有两大阻碍：一是制备工艺较难；二是价格昂贵。

从生产流程上看，无论是SiC材料还是器件的制造难度，都显著高于传统硅基。

其中大部分的难度是都是SiC材料高熔点和高硬度所需特殊工艺带来的。

SiC器件的生产环节主要包括衬底制备、外延和器件制造封测三大步骤。

各步骤中难度和价值量最高的是衬底制备环节，而衬底制备环节中晶体生长是最困难的步骤。

SiC衬底的主要制备工序为将高纯度的SiC粉在特殊温度下，采用物理气相传输法生长不同尺寸的SiC晶锭，在经切割、研磨等多道工序产出SiC衬底。

与传统的单晶硅使用提拉法不同，SiC材料因为一般条件下无法使用液相生长，只能使用气相生长的方法。

这也就带来了SiC晶体制备的多个难点：

1、生长条件苛刻，需要在高温下进行。一般而言，SiC气相生长温度在2300度以上，压力350MPa，高温对设备的工艺带来了极高的要求，生产过程几乎是黑箱操作难以观测。

2、生长速度慢。物理气相传输法7天才能生长出2cm左右。3、SiC有超过200种相似的晶型，这就要求精确的进行材料配比、热场控制和经验积累，才能制备出无缺陷的4H晶型的可用SiC衬底。4、材料硬度大，后加工困难。SiC是硬度仅次于金刚石的材料，后续的切片、研磨、抛光等工艺的难度显著增加。因此，衬底的竞争变成了尺寸的竞争。衬底的尺寸越大，边缘的浪费就越小，有利于进一步降低芯片的成本。但是，不得不承认由于我国碳化硅领域起步较晚，因此在碳化硅衬底各尺寸量产推出时间方面，天岳先进与全球行业龙头企业存在差距。从技术方面看，科锐和贰陆公司已经成功研发8英寸衬底，并且具备量产能力。而国内主要量产产品尺寸集中在4英寸及6英寸。其中，4英寸的半绝缘型碳化硅衬底，公司可以量产；6英寸半绝缘型和6英寸导电型衬底只能成小批量销售，与全球行业龙头尚存在一定的差距。既然技术存在差距，那么公司还有发展前景吗？正所谓不破不立。2019-2020 年间，美国多次对华为进行制裁，从最初的禁令名单限制到最终完全限制华为向第三方采购芯片，一系列制裁迫使华为芯片断供，手机业务分拆。此外，美方更进一步升级对中芯国际的制裁，严重限制了中国半导体先进制程的发展。而正是在中美关系紧张的背景下，我国SiC行业也迎来了快速发展的机遇。正是由于美国的制裁，国内终端厂商国产替代意愿强烈，这也为SiC衬底的发展提供个重要的时间窗口。因此，天岳先进也迎来了快速发展。营收、利润的快速提升就是最直观的体现。2018-2020年，公司营收有1.36亿元增加2.89亿元至4.25亿元，增长212.5%；扣除非经常损益后，公司2019年、2020年均已经实现盈利。2021年前三季度，公司实现归母净利润5252.43万元，同比扭亏为盈。

壁垒与风险共存 弯道超车还需技术突破业绩不断向好！这背后所展现出来的，是销量的大幅度增长。公司半绝缘型衬底的销量由2018年的7998片增长至2020年的37670片，涨幅达到371%。这也一定程度上印证了市场对SiC衬底需求的火爆。需求不断增长的同时，产能问题就成了决定企业业绩的关键。2018年-2021年上半年，天岳先进的产能利用率平均为99.55%。这也就说明公司近年来都在满产运行。根据公司招股书数据，所募集资金将全部用于碳化硅半导体材料项目。但是，我们要注意到半导体行业属于重资产行业，资本开支中大部分用来投资于半导体设备及产线建设。由于产线建设，投产周期相对较长，公司产能能否跟得上这是需要后续持续跟踪的地方。另一方面，由于碳化硅衬底生产过程中对原材料和生产设备的技术要求较高，公司部分原材料和生产设备需向外资供应商采购。截至2021年上半年，公司现有加工检测设备中无国产替代的进口设备原值为6321.93万元、已有国产替代的进口设备原值仅为903.34万元。总体而言，公司原材料和加工检测设备的外资供应商占比均较高，存在部分原材料和加工检测设备依赖外资供应商的风险。但是，正是因为这样，也给后进入者形成了较高的进入壁垒。由于SiC材料特殊的物理特性，需要长期投入和大量的经验积累才能形成产业化生产能力，行业门槛较高。后进入的SiC晶片生产商在短期内形成规模化供应能力存在较大难度，市场供给仍主要依靠现有厂商扩大自身生产能力。而这也成为了公司的竞争壁垒，而这种优势随着时间推移也会变得更强。现在，新能源大时代主战场在中国。在这个背景下，行业想不发展快都难。目前，行业的发展方向和降本路径已经相对清晰。我国一旦能在上游衬底实现突破，半导体行业是完全可以做到向电动车行业一样弯道超车的。最后：点赞、在看、分享一键三连，还请各位看官给安排一下。

（免责声明：本文为叶檀财经据公开资料做出的客观分析，不构成投资建议，请勿以此作为投资依据。）

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作者：檀所长  编辑：灰灰

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